书目详细信息
： 宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5606-6429-3:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征/.徐士杰等编著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2022.08 |
| 载体形态项： | 375页, [2] 页图版:;+图 (部分彩图):;+25cm |
| 丛编项： | 宽禁带半导体前沿丛书 |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 |
| 提要文摘： | 本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线, 按照“面向宽禁带半导体前沿课题, 注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征, 以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容, 从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发, 组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写, 力争用通俗易懂的语言, 由浅入深, 系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。 |
| 并列题名： | Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors eng |
| 题名主题： | 禁带 半导体材料 |
| 题名主题： | 禁带 半导体光电器件 |
| 中图分类： | TN304 |
| 中图分类： | TN36 |
| 个人名称等同： | 徐士杰 编著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20230927 |