书目详细信息
： IGBT场效应半导体功率器件导论
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-020041-9:38 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | IGBT场效应半导体功率器件导论/.袁寿财著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2008.01 |
| 载体形态项： | 209页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等，重点讨论了IGBT，同时对其它器件如IGCT、IGCT等也作了简单介绍。 |
| 题名主题： | 绝缘栅场效应晶体管 概论 |
| 题名主题： | 绝缘栅场效应晶体管 |
| 中图分类： | TN386.2 |
| 个人名称等同： | 袁寿财 著 |
| 记录来源： | CN RENTIAN 20080716 |