ISBN/价格: | 978-7-03-034340-6:CNY150.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | Fundamentals of Power Semiconductor Devices/.(美)B.Jayant Baliga著 |
出版发行项: | 北京:,科学出版社:,2012.06 |
载体形态项: | xvii, 1065页:;+图:;+21cm |
丛编项: | 国外信息科学与技术优秀图书系列 |
提要文摘: | 本书的作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的著名专家,IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
并列题名: | 功率半导体器件基础 chi |
题名主题: | 功率半导体器件 英文 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 巴利伽 著 |
记录来源: | CN 湖北三新 20171128 |