书目详细信息
： Fundamentals of Power Semiconductor Devices:英文版
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-034340-6:CNY150.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | Fundamentals of Power Semiconductor Devices/.(美)B.Jayant Baliga著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2012.06 |
| 载体形态项： | xvii, 1065页:;+图:;+21cm |
| 丛编项： | 国外信息科学与技术优秀图书系列 |
| 提要文摘： | 本书的作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
| 并列题名： | 功率半导体器件基础 chi |
| 题名主题： | 功率半导体器件 英文 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 巴利伽 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20171128 |