书目详细信息
： MOS集成电路工艺与制造技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5478-0980-8:CNY85.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 310000 |
| 题名责任者项： | MOS集成电路工艺与制造技术/.潘桂忠编著 |
| 出版发行项： | 上海:,上海科学技术出版社:,2012.06 |
| 载体形态项： | 489页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注入、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀/刻蚀、金属化与多层布线等。 |
| 题名主题： | MOS集成电路 集成电路工艺 |
| 题名主题： | MOS集成电路 |
| 题名主题： | 集成电路工艺 |
| 中图分类： | TN432.05 |
| 个人名称等同： | 潘桂忠 编著 |
| 记录来源： | CN RENTIAN 20120604 |