书目详细信息
： 嵌入式RAM的优化设计及前后端关键技术研究
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5612-4946-8:CNY40.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 嵌入式RAM的优化设计及前后端关键技术研究/.周清军著 |
| 出版发行项： | 西安:,西北工业大学出版社:,2016.07 |
| 载体形态项： | 159页:;+图:;+27cm |
| 丛编项： | 西安培华学院学术文库 |
| 提要文摘： | 本书以实际项目为基础, 结合作者对数字集成电路的理解, 主要针对嵌入式RAM的前端优化设计及后端关键技术进行分析讲解。本书共九章, 主要内容是嵌入式RAM的高成品率优化设计、低功耗优化设计及芯片工艺封装技术。文中优化方法应用于项目开发中, 已成功流片, 并通过了测试。 |
| 题名主题： | 随机存取存贮器 最优设计 研究 |
| 中图分类： | TP333 |
| 个人名称等同： | 周清军 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20181019 |