书目详细信息
： 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-071274-5:CNY119.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/.李辉 ... [等] 著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2023.3 |
| 载体形态项： | 177页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | “大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列 |
| 提要文摘： | 本书主要内容共9章, 包括: 绪论、封装结构及失效模式、多物理场建模及性能仿真、封装疲劳失效物理建模、器件及组件封装可靠性计算、动静态特性测试、功率循环测试、失效短路及耐久性测试、银烧结封装压接型IGBT器件的可靠性等。全书较为系统地论述了压接型IGBT器件封装疲劳失效机理及其可靠性建模与测评等, 既有理论原理、仿真分析、又有实验测试等。 |
| 题名主题： | 绝缘栅场效应晶体管 封装工艺 可靠性试验 |
| 中图分类： | TN386.2 |
| 个人名称等同： | 李辉 著 |
| 个人名称等同： | 姚然 著 |
| 个人名称等同： | 向学位 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20230315 |