书目详细信息
： 半导体干法刻蚀技术:原子层工艺
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-73426-0:CNY119.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体干法刻蚀技术/.(美)索斯藤·莱尔著/.丁扣宝译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2023.09 |
| 载体形态项： | xiv, 225页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
| 相关题名附注： | 英文题名原文取自封面 |
| 提要文摘： | 本书主要内容有: 热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等, 探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术, 涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例, 例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀, 有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 |
| 题名主题： | 半导体技术 干法刻蚀 |
| 中图分类： | TN305.7 |
| 个人名称等同： | 莱尔 著 |
| 个人名称次要： | 丁扣宝 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20240730 |