书目详细信息
： 掺杂GaN纳米线制备技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5024-9640-1:CNY72.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 掺杂GaN纳米线制备技术/.崔真, 吴辉, 李恩玲著 |
| 出版发行项： | 北京:,冶金工业出版社:,2023.10 |
| 载体形态项： | 158页:;+图:;+24cm |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书共分9章, 主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外, 还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征, 分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识, 书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺, 以便读者更好地了解本书的内容。 |
| 并列题名： | Preparation technology of doped GaN nanowires eng |
| 题名主题： | 纳米材料 研究 |
| 中图分类： | TB383 |
| 个人名称等同： | 崔真 著 |
| 个人名称等同： | 吴辉 著 |
| 个人名称等同： | 李恩玲 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20250904 |