书目详细信息
： 半导体硅材料基础
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-122-12727-3:CNY29.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体硅材料基础/.尹建华, 李志伟主编 |
| 版本项： | 第2版 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2012.02 |
| 载体形态项： | 158页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 太阳能光伏产业——硅材料系列教材 |
| 提要文摘： | 本书共分12章, 较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况; 半导体材料的基本性质; 晶体结构及其结构缺陷; 能带理论的基本知识; pn结和金属半导体接触的特性; 硅材料的制备; 化合物半导体材料的基本特性及用途; 硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法, 制备硅单晶的直拉法和浇铸多晶硅的制备方法以及杂质在硅中的特性; 砷化镓材料的特性和制取方法。 |
| 题名主题： | 硅 半导体材料 教材 |
| 中图分类： | TN304.1 |
| 个人名称等同： | 尹建华 主编 |
| 个人名称等同： | 李志伟 主编 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20120229 |