书目详细信息
： 电可改写非挥发存储器
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 7-118-02767-7:CNY19.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 电可改写非挥发存储器/.于宗光，郝跃著 |
| 出版发行项： | 北京:,国防工业出版社:,2002.4 |
| 载体形态项： | 227页:;+图:;+21cm |
| 一般附注： | 国防科技图书出版基金资助出版 |
| 一般附注： | 统一题名：Electrical re-programmable nonvolatile memory |
| 提要文摘： | 本书从 EEPROM 等电可改写集成电路的基本概念入手，着重介绍 EEPROM 的单元设计理论、电路设计技术、可靠性技术等，并介绍了 EEPROM 等非挥发存储器的应用。 |
| 并列题名： | Electrical re-programmable nonvolatile memory eng |
| 中图分类： | TP333 |
| 个人名称等同： | 于宗光 著 |
| 个人名称等同： | 郝跃 著 |