书目详细信息
： 纳米级CMOS VLSI电路:可制造性设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-78270-4:CNY79.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米级CMOS VLSI电路/.(美)桑迪普·昆杜, 阿斯温·斯雷德哈著/.Sandip Kundu, Aswin Sreedhar/.潘彪, 康旺, 蒋林君译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.06 |
| 载体形态项： | 216页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路大师级系列 |
| 提要文摘： | 本书首先介绍了CMOSVLSI设计的趋势, 并简要介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念; 其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤, 并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术; 然后深入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响, 并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响; 最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。 |
| 题名主题： | 纳米材料 CMOS电路 超大规模集成电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN432.02 |
| 个人名称等同： | 昆杜 著 |
| 个人名称等同： | 斯雷德哈 著 |
| 个人名称次要： | 潘彪 译 |
| 个人名称次要： | 康旺 译 |
| 个人名称次要： | 蒋林君 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20250818 |