书目详细信息
： CMOS芯片结构与制造技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-42500-4:CNY158.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | CMOS芯片结构与制造技术/.潘桂忠编著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021.12 |
| 载体形态项： | xv, 358页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 集成电路基础与实践技术丛书 |
| 一般附注： | 工信学术出版基金 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书从CMOS芯片结构技术出发, 介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。书中给出了100余种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50余种制程剖面结构。 |
| 并列题名： | Complementary metal oxide semiconductor eng |
| 题名主题： | CMOS电路 芯片 生产工艺 |
| 中图分类： | TN430.5 |
| 个人名称等同： | 潘桂忠 编著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20230315 |