书目详细信息
： 集成功率器件设计及TCAD仿真
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-59273-0:CNY125.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 集成功率器件设计及TCAD仿真/.(加)付越 [等] 著/.杨兵译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2018.05 |
| 载体形态项： | xiii, 321页, [8] 页图版:;+图 (部分彩图):;+24cm |
| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 相关题名附注： | 英文题名原文取自封面 |
| 提要文摘： | 本书从电力电子到功率集成电路 (PIC)、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件, 如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 (LDMOSFET)、横向绝缘栅双极型晶体管 (LIGBT) 和超结LDMOSFET的内部物理现象, 还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术 (TCAD) 仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计, 代替抽象的理论处理和令人生畏的方程, 并且还探讨了下一代功率器件, 如氮化镓高电子迁移率功率晶体管 (GaN功率HEMT)。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。书中包括智能PIC的一个典型的工艺流程以及很难在其他同类书中找到的技术开发组织图, 通过对本书的阅读, 可以使学生和年轻的工程师在功率半导体器件领域领先一步。 |
| 题名主题： | 集成电路 功率半导体器件 计算机辅助设计 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 付越 著 |
| 个人名称等同： | 李占明 著 |
| 个人名称等同： | 吴卫东 著 |
| 个人名称次要： | 杨兵 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20181023 |