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： 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-040034-5:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/.(美)Sandip Kundu, (印)Aswin Sreedhar著/.王昱阳, 谢文遨译 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2014.05 |
| 载体形态项： | 261页:;+图:;+24cm |
| 相关题名附注： | 英文题名原文取自版权页 |
| 提要文摘： | 本书的内容包括: CMOSVLSI电路设计的技术趋势; 半导体制造技术; 光刻技术; 工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模; 面向可制造性的物理设计技术; 测量、制造缺陷和缺陷提取; 缺陷影响的建模和合格率提高技术; 物理设计和可靠性; DFM工具和DFM方法。 |
| 题名主题： | 纳米材料 CMOS电路 超大规模集成电路 电路设计 教材 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 孔杜 著 |
| 个人名称等同： | 斯里达兰 著 |
| 个人名称次要： | 王昱阳 译 |
| 个人名称次要： | 谢文遨 译 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20140705 |