书目详细信息
： 低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5114-4638-1:CNY35.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理/.陈国祥, 王豆豆著 |
| 出版发行项： | 北京:,中国石化出版社:,2017.09 |
| 载体形态项： | 106页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括8章: 第1章为概述; 第2章详细地介绍了第一性原理方法; 第3章至第7章采用基于密度泛函框架下的第一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理; 第8章为本书的结束语。 |
| 题名主题： | 氮化镓 纳米材料 研究 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 个人名称等同： | 陈国祥 著 |
| 个人名称等同： | 王豆豆 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20181019 |