书目详细信息
： 功率半导体器件原理及设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-79351-9:CNY69.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 功率半导体器件原理及设计/.主编王彩琳 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2026 |
| 载体形态项： | 318页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 一般附注： | 新工科·普通高校电子信息·电气工程类教材 “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 CMP BOOKS |
| 相关题名附注： | 封面题英文题名：Principle and design of power semiconductor devices |
| 提要文摘： | 本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管(功率PIN二极管、功率SBD、MPS)、功率晶体管(功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT)、普通晶闸管及其派生器件(GTO、IGCT、MCT)，并简单地介绍了功率半导体器件基础以及功率集成技术。 |
| 并列题名： | Principle and design of power semiconductor devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 高等学校 教材 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 王彩琳 主编 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20260921 |
| 记录来源： | CN GGNY 20260923 |