书目详细信息
： 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-68175-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅功率器件/.高远, 陈桥梁编著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2021.7 |
| 载体形态项： | xiv, 311页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电力电子新技术系列图书 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对-关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对-crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
| 并列题名： | Silicon carbide power semiconductor devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 高远 编著 |
| 个人名称等同： | 陈桥梁 编著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20240315 |