书目详细信息
： 三维集成硅通孔技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-79744-9:CNY109.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 三维集成硅通孔技术/.李伟 ... 等著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2026 |
| 载体形态项： | 207页:;+彩图:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 一般附注： | CMP BOOKS “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 |
| 提要文摘： | 本书系统地阐述了作为后摩尔时代关键突破技术的硅通孔(TSV)技术及其解决方案。面对传统平面微缩逼近物理极限与经济性崩塌的严峻挑战，TSV技术凭借其超高的互连密度、极低的信号延迟和卓越的功耗效率，成为重构芯片架构、实现性能跃升与成本优化的核心支柱。本书深入解析了TSV的三维集成需求、制造工艺链、关键设计挑战、可靠性分析与热管理等技术内容；然后紧密结合产业实践，详细解析了TSV技术在HBM、Chiplet异构集成、CIS、MEMS封装及LED等前沿领域的成功应用案例；同时，前瞻性地介绍了TSV技术的未来演进路径。本书最后的附录还提供了相关技术术语、关键工艺参数、生态图谱和技术路线等内容。 |
| 题名主题： | 集成电路工艺 |
| 中图分类： | TN405 |
| 个人名称等同： | 李伟 著 |
| 个人名称等同： | 王德敬 著 |
| 个人名称等同： | 郭露露 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20260921 |
| 记录来源： | CN GGNY 20260922 |