书目详细信息
： 半导体激光器能带结构和光增益的量子理论.下册
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-047380-6:CNY168.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体激光器能带结构和光增益的量子理论/.郭长志编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2016.03 |
| 载体形态项： | 482-880页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 半导体激光器设计理论 |
| 提要文摘： | 本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算, 带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计, 应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制, 特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计, 量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计, 其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。 |
| 题名主题： | 半导体激光器 能带结构 量子论 |
| 题名主题： | 半导体激光器 激光 增益 量子论 |
| 中图分类： | TN248.4 |
| 个人名称等同： | 郭长志 编著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20160418 |