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： 高电子迁移率晶体管建模理论与实践
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-51749-5:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 高电子迁移率晶体管建模理论与实践/.高建军著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2025 |
| 载体形态项： | xviii, 274页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 集成电路系列丛书.集成电路设计 |
| 一般附注： | 工信学术出版基金 集成电路产业知识赋能工程 |
| 相关题名附注： | 英文并列题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术, 以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。微波射频场效应晶体管的小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型, 以及等效电路模型的参数提取技术是本书的重点内容。 |
| 并列题名： | High electron mobility transistor modeling theory and practice eng |
| 题名主题： | 高电子迁移率晶体管 研究 |
| 中图分类： | TN32 |
| 个人名称等同： | 高建军, 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20260921 |
| 记录来源： | CN GGNY 20260922 |