书目详细信息
： 基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-118-08790-1:CNY45.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计/.Unai Alvarado, Guillermo Bistue, Inigo Adin著/.黄水龙 ... [等] 译 |
| 出版发行项： | 北京:,国防工业出版社:,2013.07 |
| 载体形态项： | 164页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 高新科技译丛 |
| 一般附注： | 装备科技译著出版基金 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍了标准CMOS工艺中射频电路的低功耗设计方法, 包括架构方案, 技术特征, 以及专用电路技巧。指导模拟射频电路设计者如何去优化功耗, 并解释这些功耗优化规则如何在常用的模拟射频模块中应用, 如低噪声放大器、混频器、锁相环等电路模块。 |
| 并列题名： | Low power RF circuit design in standard CMOS technology eng |
| 题名主题： | CMOS电路 射频电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN432.02 |
| 个人名称等同： | 艾尔瓦拉多 著 |
| 个人名称等同： | 毕思图 著 |
| 个人名称等同： | 艾丁 著 |
| 个人名称次要： | 黄水龙 译 |
| 个人名称次要： | 王小松 译 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20140919 |