书目详细信息
： NAND闪存技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-77348-1:CNY139.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | NAND闪存技术/.(日) 有留诚一著/.陈子琪译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025 |
| 载体形态项： | XVIII, 328页:;+图 (部分彩图):;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
| 一般附注： | CMP BOOKS |
| 相关题名附注： | 封面题英文题名：NAND flash memory technologies |
| 提要文摘： | 本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术，包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来，第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术，并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3DNAND闪存单元，并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3DNAND闪存面临的挑战。最后，第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。 |
| 并列题名： | NAND flash memory technologies eng |
| 题名主题： | 半导体存贮器 |
| 中图分类： | TP333.5 |
| 个人名称等同： | 有留诚一 著 |
| 个人名称次要： | 陈子琪 译 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20260921 |
| 记录来源： | CN GGNY 20261003 |