书目详细信息
： 半导体器件电离辐射总剂量效应
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-070039-1:CNY135.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体器件电离辐射总剂量效应/.陈伟 ... [等] 编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2022.9 |
| 载体形态项： | 226页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 辐射环境模拟与效应丛书 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍电离辐射环境与效应、体硅CMOS工艺器件和SOI 工艺器件电离总剂量效应、双极工艺器件低剂量率辐射损伤增强效应、总剂量效应数值模拟和试验方法、总剂量效应预估模型与方法、纳米器件总剂量效应与可靠性、系统级总剂量效应模拟试验方法等内容。 |
| 题名主题： | 半导体器件 电离辐射 辐射效应 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 陈伟 编著 |
| 个人名称等同： | 何宝平 编著 |
| 个人名称等同： | 姚志斌 编著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20230315 |