书目详细信息
： 电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-44206-3:CNY119.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 电子器件的电离辐射效应/.(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin/.毕津顺 ... [等] 译 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2022.9 |
| 载体形态项： | 20, 299页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列 |
| 提要文摘： | 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器; 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案; 纤维光学和成像器件 (包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。 |
| 题名主题： | 电子器件 电离辐射 研究 |
| 中图分类： | TN6 |
| 个人名称等同： | 巴吉安 主编 |
| 个人名称等同： | 杰拉尔丁 主编 |
| 个人名称次要： | 毕津顺 译 |
| 个人名称次要： | 于庆奎 译 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20230315 |