书目详细信息
： 三维电子封装的硅通孔技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-122-19897-6:CNY148.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 三维电子封装的硅通孔技术/.(美)刘汉诚著/.John H. Lau/.秦飞, 曹立强译 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2014.07 |
| 载体形态项： | 390页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电子封装技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统 (MEMS) 器件的三维集成硅通孔 (TSV) 技术的最新进展和可能的演变趋势, 详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史, 然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等, 最后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 |
| 题名主题： | 电子器件 封装工艺 |
| 中图分类： | TN605 |
| 个人名称等同： | 刘汉诚 著 |
| 个人名称次要： | 秦飞 译 |
| 个人名称次要： | 曹立强 译 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20151029 |