书目详细信息
： 新一代非挥发存储器STT-MRAM的设计及应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-122-50066-3:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 新一代非挥发存储器STT-MRAM的设计及应用/.姜岩峰著 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2026 |
| 载体形态项： | 220页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书较全面地介绍了STT-MRAM存储器的设计技术，既包含存储单元器件的特性、建模等内容又包含工艺实现、电路设计和可靠性研究等内容。全书共9章，分别是绪论、STT-MRAM存储器的工作原理及STT-MTJ器件模型的建立、STTMRAM存储器的制备工艺、STT-MRAM存储器电路设计、STT-MRAM存储器失效机制的分析及抗磁性研究、基于STT-MRAM存储器的数据存储架构、STT-MRAM存储器可靠性的研究、基于STT-MRAM的ESD防护电路设计和基于STT-MRAM的辐照加固流水线读写电路设计。 |
| 并列题名： | Design and application of new-generation non-volatile memory STT-MRAM eng |
| 题名主题： | 非易失性存贮器 设计 |
| 中图分类： | TP333.802 |
| 个人名称等同： | 姜岩峰, 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20260921 |
| 记录来源： | CN GGNY 20261003 |