书目详细信息
： 纳米数字集成电路老化效应:分析、预测及优化
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-302-28543-4:CNY21.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米数字集成电路老化效应/.靳松, 韩银和著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2012.06 |
| 载体形态项： | 108页:;+图:;+23cm |
| 提要文摘： | 本书的主要内容涉及一种公认的纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应--负偏置温度不稳定性 (NBTI)。介绍了NBTI效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响。从提高nbti效应影响下电路可靠性的角度, 论述了相应的硅前分析、在线预测和优化方法。 |
| 题名主题： | 纳米材料 数字集成电路 老化 研究 |
| 题名主题： | 纳米材料 |
| 题名主题： | 数字集成电路 |
| 中图分类： | TN431.2 |
| 个人名称等同： | 靳松 著 |
| 个人名称等同： | 韩银和 著 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20120814 |