书目详细信息
： 碳化硅器件工艺核心技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-74188-6:CNY189.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅器件工艺核心技术/.(希)康斯坦丁·泽肯特斯, (英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著/.贾护军, 段宝兴, 单光宝译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.01 |
| 载体形态项： | xvi, 411页, [4] 页图版:;+图 (部分彩图):;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 相关题名附注： | 英文题名原文取自封面 |
| 提要文摘： | 本书共9章, 以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心, 重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术, 以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等, 每一部分都涵盖了上百篇相关文献, 以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |
| 题名主题： | 功率半导体器件 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 泽肯特斯 著 |
| 个人名称等同： | 瓦西列夫斯基 著 |
| 个人名称次要： | 贾护军 译 |
| 个人名称次要： | 段宝兴 译 |
| 个人名称次要： | 单光宝 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20240730 |