书目详细信息
： 氮化镓与碳化硅功率器件:基础原理及应用全解
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-122-47754-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 氮化镓与碳化硅功率器件/.(意)毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥著/.Maurizio Di Paolo Emilio/.邓二平, 吴立信, 丁立健译 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2025.07 |
| 载体形态项： | 195页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书内容以实用性为出发点, 阐释了氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件, 从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析, 重点介绍了仿真手段和各种典型应用, 最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件, 主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等, 并对核心应用, 如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。 |
| 题名主题： | 氮化镓 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 埃米利奥 著 |
| 个人名称次要： | 邓二平 译 |
| 个人名称次要： | 吴立信 译 |
| 个人名称次要： | 丁立健 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20250825 |
| 记录来源： | CN GGNY 20250927 |