书目详细信息
： 图解入门,半导体器件缺陷与失效分析技术精讲
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-74962-2:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 图解入门/.(日)可靠性技术丛书编辑委员会主编/.(日)二川清编著/.(日)上田修, 山本秀和著/.李哲洋[等] 译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.02 |
| 载体形态项： | 159页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书共分为4章, 内容包括半导体器件的缺陷、失效分析技术概要, 硅集成电路 (LSI) 的失效分析技术, 功率器件的缺陷、失效分析技术, 化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析技术。 |
| 题名主题： | 半导体工艺 图解 |
| 中图分类： | TN305-64 |
| 个人名称次要： | 二川清 编著 |
| 个人名称次要： | 上田修 著 |
| 个人名称次要： | 山本秀和 著 |
| 个人名称次要： | 李哲洋 译 |
| 个人名称次要： | 于乐 译 |
| 团体名称等同： | 可靠性技术丛书编辑委员会 主编 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20240813 |